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元件参数资料
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参数目录40295
> ALD1106PBL MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP
型号:
ALD1106PBL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Advanced Linear Devices Inc
描述:
MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ALD1106PBL PDF
标准包装
50
系列
-
FET 型
4 N 通道(半桥)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.8mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
350 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
通孔
封装/外壳
14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装
14-PDIP
包装
管件
其它名称
1014-1012
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